Rekordowo szybki tranzystor grafenowy
8 lutego 2010, 11:14Badacze IBM-a zaprezentowali najszybszy tranzystor grafenowy na świecie. Urządzenie pracuje z częstotliwością 100 GHz i powstało w ramach finansowanego przez DARPA programu Carbon Electronics for RF Appplications (CERA), którego zadaniem jest opracowanie urządzenie komunikacyjnych kolejnej generacji.
Grafenowy tranzystor niemal jak CMOS
28 stycznia 2010, 12:35Specjaliści z IBM-a otworzyli pasmo wzbronione w tranzystorze polowym (FET) wykonanym z grafenu, pokonując tym samym jedną z ostatnich przeszkód na drodze do skomercjalizowania grafenowej elektroniki. Ich grafenowy FET, jak zapewniają, będzie w przyszłości mógł konkurować z tranzystorami CMOS.
Powstał 100-milimetrowy plaster grafenowy
25 stycznia 2010, 13:16Naukowcy z Electro-Optics Center (EOC) Material Division na Pennsylvania State University stworzyli 100-milimetrowy plaster grafenowy. To niezwykle ważny krok w kierunku wykorzystania grafenu do budowy urządzeń elektronicznych.
Lepsze tranzystory z nanokabli
6 stycznia 2010, 18:07Jak wiemy, miniaturyzacja krzemowych tranzystorów ma swoje granice i współczesna technologia właśnie się do nich zbliża. Dlatego też poszukiwane są alternatywne sposoby na zapewnienie ciągłego rozwoju komputerów. Jednym z nich jest pomysł na wykorzystanie krzemowych nanokabli.
Tranzystor z molekuły
27 grudnia 2009, 15:43Po raz pierwszy w historii udało się zbudować tranzystor złożony z jednej molekuły. Dokonali tego uczeni z Yale University oraz Instytutu Nauki i Technologii Gwangju z Korei Południowej.
Nanorurkowe chipy coraz bliżej
10 grudnia 2009, 11:14Inżynierowie z Uniwersytetu Stanforda stworzyli najdoskonalsze i najbardziej wydajne układy scalone wykorzystujące węglowe nanorurki. Uczonym udało się wyeliminować niedoskonałości, które przyczyniały się do powstawania spięć w obwodach.
Tranzystor w skali atomowej
8 grudnia 2009, 12:09Naukowcy z Uniwersytetu Technologicznego w Helsinkach, University of New South Wales i University of Melbourne zbudowali tranzystor, którego aktywne części składają się z... pojedynczego atomu fosforu umieszczonego na krzemie.
Bliżej ekscytonowych chipów
28 września 2009, 12:27W Nature Photonics grupa naukowców z Uniwersytetu Kalifornijskiego w San Diego (UCSD) i Santa Barbara (UCSB) informuje o stworzeniu hybrydowego elektroniczno-fotonowego układu scalonego, który pracuje w temperaturze około 100 kelwinów.
Połączyli memrystor z układem CMOS
16 września 2009, 16:10Naukowcy z laboratorium HP połączyli memrystor z tradycyjnym układem scalonym. Udowodnili w ten sposób, że nowy komponent może współpracować ze współczesną technologią, a to oznacza, iż wkrótce układy z memrystorami mogą trafić na rynek.
FeDRAM - nowy pomysł na pamięci
13 sierpnia 2009, 11:47Naukowcy z Yale University i badacze z Semiconductor Research Corp. (SRC) ogłosili, że pamięci ferroelektryczne lepiej nadają się do zastąpienia obecnych układów DRAM niż pamięci flash. Już przed kilkoma miesiącami zaprezentowali oni eksperymentalny ferroelektryczny tranzystor dla układów FeDRAM.
